消息称三星正开发下一代 HBM，瞄|准高性能端侧 AI 手机
据韩媒 Etnews 上周（5 月 12 日）报道，三星电子正在开发下一代 HBM 技术，该范围上实现更高性能的端侧 AI。如果这套方案能成功验证，理论带宽可提升 15-30%，并且还能在相同空间下塞入更多 I/O 接口。该领域的空间相比服务器机柜简直是九牛一毛，对功耗、发热控制的要求非常严格，因此无法直接照搬现有方案。据悉，现在主流的 LPDDR 内存该领域，这种方案的 IO 数量有限、信号损耗较大、散热效率不足，无法结合 HBM 技术。因此三星方案采取改进的 VCS 办法，将芯片内部的铜柱从 3:1~5:1 提升至 15:1~20:1，可在有限面积中塞入更多铜线，进一步提升带宽。不过，当铜柱直径低于 10 微米时就容易出现弯曲、断裂等不稳定现象。因此三星决定采用 FOWLP 技术作为补强。该领域展开模塑（IT之家注：Molding），然后把布线向外围扩展，与此同时承担支撑铜柱作用，防止变形。业内人士透露，三星正在研发多层堆叠 FOWLP技术，目标在智能手机、该领域中实现更大容量、更高带宽的 HBM。虽然这套办法还处于研发阶段，但业内看来，三星最快会在 Exynos 2800 后期版本或 Exynos 2900 该领域。
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